韩国首尔半导体及其子公司首尔Viosys，于年9月9日，在美国加州向美国零售巨头Kmart发起专利侵权诉讼。Kmart是美国最大的打折零售商和全球最大的批发商之一，拥有多家门店，年销售额达亿美元。
该诉讼针对在Kmart销售的一款LED灯丝灯，首尔半导体表示Kmart销售的该灯丝灯侵犯了首尔半导体8项LED相关专利。
从该LED灯丝灯的包装可以看出，该产品来自美国SpotliteAmericaCorporation（生产自中国）。但是，首尔半导体没有直接起诉Spotlite，而是起诉终端零售商Kmart。
下面来逐一解析该诉讼涉及的8项专利。
No.1US
该专利由柏林工业大学于年申请，并于年获得美国发明专利授权，年专利权转让给首尔半导体。
该专利针对GaNLED外延过程中，3D生长+2D生长的工艺。
No.2US
该专利由SeoulOptoDevice于年申请，并于年获得美国发明专利授权，年专利权转让给首尔半导体，年专利权进一步转让给首尔Viosys。
该专利的权利要求为，量子阱结构中，undoped-InGaN和Si-dopedGaN组成复合势垒层。
No3.US
该专利由首尔半导体于年申请，并于年获得美国发明专利授权。
该专利的权利要求为，（蓝光LED+*绿粉）和（蓝光LED+红粉）两组光混合实现高显色指数的白光。
No4.US
该专利由SeoulOptoDevice于年申请，并于年获得美国发明专利授权，年专利权转让给首尔Viosys。
该专利的权利要求为，将GaN外延片刻蚀出倾斜侧壁的工艺方法。倾斜侧壁是生产高压芯片需要用到的。
No5.US
该专利由SeoulOptoDevice于年申请，并于年获得美国发明专利授权，年专利权转让给首尔Viosys。
该专利的权利要求为，P-pad下面有电流阻挡层，该阻挡层同时有反射光线的作用，减少pad吸光。
No6.US
该专利由SeoulOptoDevice于年申请，并于年获得美国发明专利授权，年专利权转让给首尔Viosys。
该专利的权利要求为，在Buffer层和N-GaN层之间，采用不同的温度生长三层中间层。
No7.US
该专利由首尔Viosys于年申请，并于年获得美国发明专利授权。
该专利的权利要求为，ACLED同时激发两种荧光粉，两种荧光粉的荧光衰减时间不同。
No8.US
该专利由诺贝尔奖获得者中村修二教授等人于年申请，并于年1月获得美国发明专利授权，目前专利权人为美国加州大学。
该专利的权利要求为，LED芯片上下双面出光，固定至封装支架上的透明板，从而LED芯片向下发出的光线可以该透明板出射。
准确地切中了，灯丝封装中芯片背面光线，从透明基板出射的要点。
在这项专利申请日期之前，中国企业早已投入大量研发资源进行LED灯丝封装研发，并且将产品推向了市场。但是，中国企业的专利布局缺失，现在已经陷入被动局面。
中村修二教授、台湾晶元光电（详见本